Przekrój poprzeczny tranzystora
     Bramka wykonana z polikrzemu (bogato domieszkowanego krzemu polikrystalicznego), znajdująca się nad kanałem tranzystora, dzieli obszar dyfuzji N+ na dwie części zwane odpowiednio źródłem (obszar z lewej strony) i drenem (obszar z prawej strony). Struktura tranzystora jest symetryczna, nazwy dren i źródło odzwierciedlają jedynie funkcję końcówek w układzie.

Topografia układu - layout
    Tranzystor NMOS reprezentowany jest tutaj przez prostokątny obszar polikrzemu przecinającego obszar dyfuzji N+. Właściwy obszar tranzystora jest utworzony na przecięciu tych dwóch obszarów, wystające fragmenty służą do połączenia przyrządu z resztą układu scalonego, u nas połączone są kontaktami metal/dyfuzja z metalowymi ścieżkami przewodzącymi.
    Wymiary wszystkich obiektów w topografii podawane są w jednostkach l .
Wartość l zależy od techonologii i odpowiada połowie minimalnej długości kanału realizowanego w danej technologii. Minimalna długośc bramki wynosi zatem 2l.

Panel sterowania
    Tutaj wyświetlane są wartości prądu płynącego między źródłem a drenem - Ids, aktualny zakres pracy tranzystora (nasycenia, liniowy, podprogowy lub odcięcia ) oraz termometr wskazujący temperaturę otoczenia.
   Przy każdej zmianie parametrów pracy tranzystora w poszczególnych oknach pokazany jest wpływ tych zmian na kanał tranzystora, jego punkt pracy, wartość prądu Ids oraz zakres pracy.
   Wartości napięć oraz temperatury można zmieniać w tym panelu za pomocą myszki.

Charakterystyki
    Tutaj możesz obserwować charakterystyki tranzystora NMOS z punktem pracy przesuwającym się zgodnie z bieżącą polaryzacją przyrządu.
   Jeżeli będąc w programie klikniesz myszką w tym oknie to następować będzie zmiana rodzaju wyświetlanej charakterystyki.

Wyjście
   Opuszczenie bloku programowego dotyczącego danego przyrządu.

Kliknij aby opuścić to okno.

Model
   Matematyczny opis modelu wykorzystywanego do symulacji działania przyrządu.

Opcje
   Możemy tutaj zmienić rodzaj pokazywanej charakterystyki, określić wartość napięcia zasilania, temperatury otoczenia, szerokość i długość kanału tranzystora.

Paleta
   Zbiór symboli graficznych użytych do reprezentowania poszczególnych materiałów dla widoku przekroju poprzecznego i layoutu.